中科瑞晶(杭州)科技有限公司

Pt/Ti/SiO2/Si

经过数十年的发展,薄膜外延生长技术已成为当今电子工业的重要基石,其中硅外延片是制造各种半导体器件的核心材料,它在消费品、工业、军事和空间电子领域都有应用。

目前,在硅衬底上可以制备普通外延层、多层外延层、超高电阻外延层和超厚外延层。外延层的电阻率可达1000欧姆以上。电导率类型为:P/P++,N/N++,N/N+/N++,N/P/P,P/N/N+。


中科瑞晶(杭州)科技有限公司专业提供Pt/Ti/SiO2/Si基片,满足科研可应用需求。


技术规格


Pt 层 : 150 nm

Ti 层 : 20 nm

SiO2 层: 300 nm


基底硅片的规格: 


类型/掺杂: P/BS

晶向:<100>+/-0.5degree

尺寸:  4” x 0.5 mm

表面处理: 单面抛光