GaAs

砷化镓(化学式:GaAs)是由镓和砷两种元素合成的化合物。它是一种重要的IIIA族和V族复合半导体材料。

中科瑞晶提供不同规格砷化镓(GaAs)半导体晶体。

使用/应用

砷化镓(GaAs)可用于制造微波集成电路、红外发光二极管、半导体激光器和太阳能电池。砷化镓常被用作III-V族半导体外延生长的基底材料,包括砷化铟镓、砷化铝镓等。

特点/优势

▪ 非常高的电子迁移率。
▪ 与硅电池相比,砷化镓电池对热相对不敏感。因此,它具有很高的热稳定性。
▪ 低噪音。
▪ 可在较宽的温度范围内工作。
▪ 效率高,抗辐射。

  • 单晶

    掺杂

    导电类型

    载流子浓度cm-3

    位错密度cm-2

    生长方法

    最大尺寸

    标准基片

    GaAs

    None

    Si

    /

    <5×105

    LEC

    HB

    Dia3″

    Dia3″×0.5

    Dia2″×0.5


    Si

    N

    >5×1017





    Cr

    Si

    /





    Fe

    N

    ~2×1018





    Zn

    P

    >5×1017




    尺寸(mm)

    25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm

    可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底

    表面粗糙度

    Surface roughness(Ra):<=5A
    可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告

    抛光

    单面或双面

    包装

    100级洁净袋,1000级超净室


  • 尺寸

    25×25×0.5mm10×10×0.5mm10×5×0.5mm5×5×0.5mm

    可根据客户需求尺寸和晶向定制。