SiC

N型碳化硅衬底材料是支撑电力电子产业发展的关键材料。其优异的高压电阻、高频电阻等物理特性可广泛应用于大功率高频电子器件、电动汽车PCU、光伏逆变器、轨道交通电源控制系统等领域,并能起到减小体积简化系统、提高功率密度的作用。

中科瑞晶根据用户需要提供不同规格碳化硅(SiC)晶体基片。

使用/应用

N型碳化硅衬底材料是支撑电力电子产业发展的关键材料。
可应用于高频电子器件、电动汽车功率控制单元(PCU)、光伏逆变器、轨道交通功率控制系统等领域,并能起到减小系统体积简化、提高功率密度的作用。

特点/优势

具有耐高压、耐高频等突出的物理特性。

  • 生长方法

    籽晶升华法 ,PVT(物理气相传输)

    晶体结构

    六方

    晶格常数

    a=3.08 Å     c=15.08 Å  

    排列次序

    ABCACB

    方向

    生长轴或 偏<0001>3.5 º

    带隙

    2.93 eV (间接)

    硬度

    9.2mohs

    热传导@300K

    5 W/ cm.k

    介电常数

    e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33

    尺寸

    10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,

    dia2”, 15 x 15 mm,10x10mm

    厚度

    0.5mm,1.0mm

    抛光

    单面或双面

    晶向

    <001>±0.5º

    晶面定向精度:

    ±0.5°

    边缘定向精度:

    2°(特殊要求可达1°以内)

    斜切晶片

    可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片

    Ra:

    ≤5Å(5µm×5µm)



    包装

    100级洁净袋,1000级超净室


  • 尺寸

    5x5mm10x10mm15x15mm20x20mm; Ø50.8, Ø100 mm, Ø150mm


    厚度

    0.33/0.35/0.5mm,

    根据客户要求定制晶向和尺寸。