MgAl6O10

MgAl6O10单晶是一种用于外延生长GaN和ZnO的新型衬底材料。MgAl6O10单晶属于立方系,空间群为fd-3m(227),晶胞参数a=7.9780Å,密度为3.585g/cm3。与MgAl2O4晶体相比,MgAl6O10单晶与GaN具有更小的热膨胀失配和晶格失配。与GaN的热膨胀失配为2.2×10− 6K− 1.晶格失配− 11.5%. 此外,MgAl6O10单晶的熔点低于MgAl2O4晶体,更容易生长大尺寸和高质量的晶体。实验表明,在MgAl6O10单晶衬底上制备的GaN和ZnO器件的发光性能优于蓝宝石。

中科瑞晶依据客户需求,提供不同规格的美铝尖晶石(MgAl6O10)晶体材料。

使用/应用

用于GaN和ZnO外延生长的衬底材料。

特点/优势

与MgAl2O4晶体相比,MgAl6O10单晶与GaN具有更小的热膨胀失配和晶格失配。
MgAl6O10单晶的熔点低于MgAl2O4晶体,更容易生长出大尺寸、高质量的晶体。
实验表明,在MgAl6O10单晶衬底上制备的GaN和ZnO器件的发光性能优于蓝宝石。

  • 结构

    六方

    晶格常数

    a=4.748Å, c=12.97Å

    密度

    3.98 (g/cm3)

    熔点

    2040℃

    生长方法

    Czochralski, Kyropoulos

    莫氏硬度

    9mohs

    折射率

    300K,    ∥c,1.762 @630nm

    c1.770 @630nm

    热胀系数

    5.8 ×10-6/K

    热导率W/mK)

    c

    //c

    23℃, 55

    26℃, 60

    77℃ ,40

    70℃, 41

    损耗角正切 (293K)

    1×10-4(1MHz

    介电常数 (at 103-109Hz @25℃)

    c11.5

    c9.3

    透过率

    80@ 400~4000nm

    A-plane

    <11-20>

    2.379 Å

    R-plane

    <1-102>

    1.740 Å

    M-plane

    <10-10>

    1.375 Å

    C-plane

    <0001>

    2.165 Å

    晶向公差

    ±0.5°

    常规尺寸

    10×3mm,10×5mm10×10mm,15×15mm20×15mm20×20mm

    常规厚度

    0.5mm1.0mm

    抛光

    One side or two sides

    表面粗糙度

    Ra<5Å5×5μm

    包装

    Class 100 clean bag, Class 1000 super clean room



  • 尺寸

    10×3mm,10×5mm,10×10mm,15×15mm,20×15mm,20×20mm

    厚度

    0.5mm,1.0mm