SiO2

人造石英单晶在高压釜中通过水热法生长,有左手和右手两种形式。石英晶体具有低应力双折射和高折射率均匀性,透光范围为0.15-4μm。石英晶体因其压电性能、低热膨胀系数、优异的机械和光学性能,被用于电子、精密光学和激光技术,光通信,X射线光学。

中科瑞晶提供不同规格二氧化硅(SiO2)晶体。

使用/应用

电子、精密光学和激光技术、光通信、X射线光学。

特点/优势

石英晶体具有低应力双折射和高折射率均匀性,透光范围为0.15-4μm。
石英晶体具有良好的压电性能、较低的热膨胀系数、优异的力学和光学性能。

  • 生长方法

    水热法

    晶体结构

    六方

    晶格常数

    a=4.914Å    c=5.405 Å

    熔点(℃)

    1610(相转变点:573.1

    密度

    2.684g/cm3

    硬度

    7mohs

    热熔

    0.18cal/gm

    热导率

    0.0033cal/cm℃

    热电常数

    1200uv/300

    折射率

    1.544

    热膨胀系数

    α1113.71×10-6 /  α33:7.48×10-6 /

    Q

    1.8×106 min

    声速、声表级

    3160m/sec

    频率常数

    1661kHz/mm

    压电偶合

    K2(%) BAW: 0.65 SAW: 0.14

    晶向

    YXZ切,在30º~42.75 º ±5分范围内旋转任意值
    主定位边:根据客户要求定方向±30
    次定位边:根据客户要求定方向
    籽 晶:位于中心,宽度<5mm,高度>66mm

    抛光面

    外延抛光:单抛或双抛Ra<10Å
    工作区域:基片直径-3mm
    弯 曲 度:Φ3″<20umΦ4″<30um
    工作区域无崩边,在边缘,崩边宽度<0.5mm
    坑和划痕:每片<3,每100<20

    标准厚度

    0.5mm±0.05mm TTV<5um

    标准直径

    Φ2″(50.8mm)Φ3″(76.2mm)Φ4″(100mm)±0.2mm
    主定位边:22±1.5mm (Φ3″) 32±3.0 (Φ4″)
    次定位边:10mm±1.5mm


  • Φ2″(50.8mm)、Φ3″(76.2mm)、Φ4″(100mm)±0.2mm

    主定向平面

    16±1.5mm (Φ2″);22±1.5mm (Φ3″) ;32±3.0(Φ4″)