PMN-PT
铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT) [Pb(Mg1/3Nb2/3)O3] (1-x)- [PbTiO3] x单晶材料作为一种新型的压电材料,具有高压电常数、大机电耦合系数、高介电常数、低损耗的特性、优异的非线性光学性能和热释电性能，尤其压电性能比普通的压电材料要提高10倍左右，使得它可以在比传统的PZT压电陶瓷有更广泛的应用领域，不仅可以满足应用需要成为新一代高性能压电换能器、非线性光学器件和光电探测器件(如红外探测器)的核心材料，而且还为广大的科研人员提供了良好的研究载体。
使用/应用
可以在比传统的PZT压电陶瓷有更广泛的应用领域，不仅可以满足应用需要成为新一代高性能压电换能器、非线性光学器件和光电探测器件(如红外探测器)的核心材料，而且还为广大的科研人员提供了良好的研究载体。
特点/优势
提高了产品的相变温度和矫顽力场。
机电耦合系数k33至0.94；场致应变s>1.7%。
d33的压电系数比PZT高4～5倍，介电损耗比PZT低1～3倍。
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主要性能参数
分子式
[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3] (1-x)- [PbTiO3] x， X=0.24-0.40
晶体结构
四方，（接近立方）
晶胞参数
a=4.024 Å (R3m)
熔点
1280℃
生长方法
坩锅下降法（布里奇曼法）
密度
8.1 g/cm3
莫氏硬度
3.5
热膨胀系数
10.4x10-6/K
介电常数（极化）ε
4000-5500@1KHz
压电常数d33
1200-1500;1500-2000;2000-2500 pC/N
居里温度
135-150 ℃
相变温度
50-90℃（单斜-四方相变）
电机耦合常数
K33(纵模)：˃ 92%； Kt(横模)：59-62%; K33（光束模式）84-88%
矫顽电场
2-2.5 kv/cm
晶向
<100>,<110>,<111>
晶向公差
±0.3-0.5°
尺寸
5x5mm, 10x10mm, 20x20mm,Dia50.8mm
可以根据客户需求定制。
厚度
0.5-10mm
包装
100级包装袋，1000级超净间。
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可按需求定制。