中科瑞晶(杭州)科技有限公司

InAs

利用InAs单晶衬底,可以生长InAsSb/In-AsSb、InNaSb等异质结材料,制备波长为2-14μm的红外发光器件。InAs单晶衬底也可以用于外延生长AlGaSb超晶格结构材料。中红外量子级联激光器。这些红外器件在气体监测、低损耗光纤通信等领域具有良好的应用前景。此外,InAs单晶具有较高的电子迁移率,是制作霍尔器件的理想材料。作为单晶衬底,InAs材料需要具有低的位错密度、良好的晶格完整性、合适的电学参数和高的均匀性。InP单晶材料的主要生长方法是传统的液封提拉法(LEC)。

中科瑞晶根据客户需求,提供不同规格的砷化铟(InAs)晶体材料。

使用/应用

利用InAs单晶衬底,可以生长InAsSb/In-AsPSb、InNAsSb等异质结材料,制备波长为2-14μm的红外发光器件。
InAs单晶衬底也可用于外延生长AlGaSb超晶格材料和中红外量子级联激光器。
红外器件在气体监测、低损耗光纤通信等领域具有良好的应用前景。

特点/优势

InAs单晶具有较高的电子迁移率。

  • 单晶

    掺杂

    导电类型

    载流子浓度

    cm-3

    迁移率(cm2/V.s)

    位错密度(cm-2)

    标准基片

    InAs

    本征

    N

    5´1016

    ³2´104

    <5´104

    Φ2″×0.5mm

    Φ3″×0.5mm

    InAs

    Sn

    N

    (5-20) ´1017

    >2000

    <5´104

    Φ2″×0.5mm

    Φ3″×0.5mm

    InAs

    Zn

    P

    (1-20) ´1017

    100-300

    <5´104

    Φ2″×0.5mm

    Φ3″×0.5mm

    InAs

    S

    N

    (1-10)´1017

    >2000

    <5´104

    Φ2″×0.5mm

    Φ3″×0.5mm

    尺寸(mm)

    Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底

    表面粗糙度

    Surface roughness(Ra):<=5A
    可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告

    抛光

    单面或双面

    包装

    100级洁净袋,1000级超净室


  • 尺寸

    Φ50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm


    晶向和尺寸可根据需求定制。