ZnO

氧化锌(ZnO)是GaN薄膜的良好衬底。它在室温下具有60 meV的大激子结合能和3.73 eV的带宽,使其成为紫外光和可见光的发光材料。由于其在可见光区域的透明性、大的机电耦合系数以及气体分子在其表面的吸附和解吸特性,有望用于高峰值能量的能量限制器、大尺寸和高质量的GaN衬底、,未来超过5GHz的无线通信、高电场设备、高温高能电子设备等。

中科瑞晶提供不同规格氧化锌(ZnO)晶体衬底。

使用/应用

用于紫外线和可见光的发光材料。
高电场设备。
高温高能电子器件。
高效半导体光电子器件、半导体光催化和稀磁半导体。

特点/优势

激子结合能高达60mev;
在可见光区域透明;
机电耦合系数大。

  • 结构

    六方

    晶格常数

    a=3.252Å    c=5.313 Å

    密度

    5.7g/cm3

    生长方法

    Hydrothermal

    莫氏硬度 (Mho)

    4mohs

    熔点

    1975℃

    热膨胀系数

    6.5 x 10-6 /℃//a     3.7 x 10-6 /℃//c

    比热

    0.125 cal /g.m

    热电常数

    1200 mv/k @ 300 ℃

    热导率

    0.006 cal/cm/k

    透过范围

    0.4-0.6 um > 50% at 2mm


  • 尺寸

    25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm

    可根据客户需求尺寸和晶向需求定制。