中科瑞晶(杭州)科技有限公司

SiO2/Si

经过数十年的发展,薄膜外延生长技术已成为当今电子工业的重要基石,其中硅外延片是制造各种半导体器件的核心材料,它在消费品、工业、军事和空间电子领域都有应用。

目前,在硅衬底上可以制备普通外延层、多层外延层、超高电阻外延层和超厚外延层。外延层的电阻率可达1000欧姆以上。电导率类型为:P/P++,N/N++,N/N+/N++,N/P/P,P/N/N+。


中科瑞晶(杭州)科技有限公司专业提供SiO2/Si基片,满足科研可应用需求。



规格



1. 直径:2~8英寸。

2. 氧化层厚度:50Å-20um3氧化硅片是指硅片表面有一层氧化层,氧化层厚度根据用户需要定制。本公司备有各种型号的现货,并采用热氧化法加工大型生产氧化炉管。

3. 需要定制厚度为2um的氧化层。

4. 根据工艺应用,可使用不同类型的氧化硅晶片,咨询时请告知工艺应用。