SiO2/Si

经过数十年的发展，薄膜外延生长技术已成为当今电子工业的重要基石，其中硅外延片是制造各种半导体器件的核心材料，它在消费品、工业、军事和空间电子领域都有应用。

目前，在硅衬底上可以制备普通外延层、多层外延层、超高电阻外延层和超厚外延层。外延层的电阻率可达1000欧姆以上。电导率类型为：P/P++，N/N++，N/N+/N++，N/P/P，P/N/N+。

中科瑞晶（杭州）科技有限公司专业提供SiO2/Si基片，满足科研可应用需求。

规格

1. 直径：2~8英寸。

2. 氧化层厚度：50Å-20um3氧化硅片是指硅片表面有一层氧化层，氧化层厚度根据用户需要定制。本公司备有各种型号的现货，并采用热氧化法加工大型生产氧化炉管。

3. 需要定制厚度为2um的氧化层。

4. 根据工艺应用，可使用不同类型的氧化硅晶片，咨询时请告知工艺应用。