InP

作为最重要的化合物半导体材料之一,InP单晶材料是光通信中InP基激光二极管(LD)、发光二极管(led)和光电探测器的关键材料。这些器件实现了光纤通信中信息的发射、传播、放大、接收等功能。InP还非常适合于高频器件,如高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶体管(HBT)。由于其优越的特性,它被应用于光纤通信、微波、毫米波、辐射太阳能电池和异质结晶体管等许多高科技领域。InP单晶材料的主要生长方法有传统的液封直拉法(LEC)、改进的LEC法和气压控制直拉法(VCZ)/PC-LEC)/垂直梯度凝固技术(VGF)/垂直布里奇曼技术(VB)等。

中科瑞晶根据客户需求,提供不同规格的磷化铟(InP)晶体材料。

使用/应用

光通信用InP基激光二极管(LD)、发光二极管(LED)和光电探测器生产的关键材料。
适用于高频器件,如高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶体管(HBT)。

特点/优势

磷化铟(InP)包括磷和铟,是一种二元半导体。它具有类似于GaAs和几乎所有III-V半导体的锌铅晶体结构。

  • 晶体

    结构

    晶向

    熔点

    oC

    密度

    g/cm3

    禁带宽度

    InP

    立方,

    a=5.869 A

    <100>

    1600

    4.79

    1.344


    主要性能参数

    单晶

    掺杂

    导电类型

    载流子浓度

    cm-3

    迁移率(cm2/V.s)

    位错密度(cm-2)

    标准基片

    InP

    本征

    N

    (0.4-2)´1016

    (3.5-4)´103

    £5´104

    Φ2″×0.35mm

    Φ3″×0.35mm

    InP

    S

    N

    (0.8-3)´1018

    (4-6)´1018

    (2.0-2.4)´103

    (1.3-1.6)´103

    £ 3´104

    £2´103

    Φ2″×0.35mm

    Φ3″×0.35mm

    InP

    Zn

    P

    (0.6-2) ´1018

    70-90

     

    £ 2´104

     

    Φ2″×0.35mm

    Φ3″×0.35mm

    InP

    Te

    N

    107-108

    ³2000

    £3´104

    Φ2″×0.35mm

    Φ3″×0.35mm

    尺寸(mm)

    Dia50.8x0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底

    表面粗糙度

    Surface roughness(Ra):<=5A
    可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告

    抛光

    单面或双面

    包装

    100级洁净袋,1000级超净室


  • 尺寸

    Φ 50.8x0.35mm,10×10×0.35mm、10×5×0.35mm

    根据需求定制。