中科瑞晶(杭州)科技有限公司

Ga2O3

近十年来,β-氧化镓(β-Ga2O3)材料和器件技术取得了快速发展,其禁带宽度EG=4.9eV,远超碳化硅(约3.4eV)、氮化镓(约3.3eV)和硅(1.1eV),其导电性能和发光特性良好,具有很强的电子学、光学和热学性能。它具有高折射率、可调谐的拉曼散射响应、低的漏电流和以非常稳定的外延特性。它还具有出色的小波纹动态动态特性和高的发射效率。此外,它还具有很高的压集能和硒的抗氧化能。

氧化镓(Ga2O3)单晶的应用领域主要有:激光器件、加速器和雷达系统、传感器、可视化图像传感器、天线、滤波器和片上电路。此外,它还广泛应用于光学技术——它可用于制造变形镜、BK7镜片、视频镜头控制器和高性能成像系统。

在未来,氧化镓(Ga2O3)将作为一种高性能、高可靠性的半导体材料可能会取代硅(Si)和其他半导体材料,以实现低功耗电子电路的设计。它将有助于小型化电子器件,以满足人们日益增长的对小型电子产品和消费电子产品的需求。在未来,随着传感器、滤波器、电路设计和可视图像成像技术的发展,氧化镓(Ga2O3)也将大量应用于这些领域。因此,氧化镓(Ga2O3)有望在未来发挥重要作用,并带来巨大的发展机遇。

中科瑞晶(CasCrysTech, CCT)根据用户需求,为用户提供2英寸以内的氧化镓(Ga2O3)单晶衬底基片及外延基片。

2022年8月12日,美国商务部工业和安全局(BIS)在《联邦公报》中披露了一项新增的出口限制临时最终规则,涉及先进半导体、涡轮发动机等领域。该禁令对具有GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)结构的集成电路所必需的EDA/ECAD软件、以金刚石和氧化镓为代表的超宽禁带半导体材料、包括压力增益燃烧(PGC)在内的四项技术实施了新的出口管制。


使用/应用

氧化镓(Ga2O3)单晶的应用领域主要有:激光器件、加速器和雷达系统、传感器、可视化图像传感器、天线、滤波器和片上电路。此外,它还广泛应用于光学技术——它可用于制造变形镜、BK7镜片、视频镜头控制器和高性能成像系统。

特点/优势

是一种直接宽带隙半导体材料,具有极大的击穿电场,易于获得大尺寸晶体。

  • 结构

    单斜

    晶格常数

    a=12.23Å, b=3.04Å, c=5.80Å, ß=103.7°

    晶向

    <100> +/-1°, <010> +/-1° 

    莫氏硬度

    9 (mohs)

    密度

    5.88 (g/cm3)

    熔点

    1725℃

    尺寸

     3-220mm, 按需求订制。

    厚度

    按需求订制

    生长方法

    Czochralski, HEM

    导电类型

    半绝缘, xx-掺杂

    抛光

    外延抛光, RMS<0.5nm, 或

    光学级抛光

    平行度

    15 arcsec

    位错密度

    20/10 scratch/dig

    包装100级洁净袋,单盒装,氮气保护下包装。



  • 按需求订制。