Ga2O3

近十年来,β-氧化镓(β-Ga2O3)材料和器件技术取得了快速发展,其禁带宽度EG=4.9eV,远超碳化硅(约3.4eV)、氮化镓(约3.3eV)和硅(1.1eV),其导电性能和发光特性良好,因此,其在光电子器件方面及大功率场景有广阔的应用前景。虽然,氧化镓迁移率和导热率低,特别是导热性能是其主要短板。不过,相对来说,这些缺点对功率器件的特性不会有太大的影响,这是因为功率器件的性能主要取决于击穿电场强度。

中科瑞晶(CasCrysTech, CCT)根据用户需求,为用户提供2英寸以内的氧化镓(Ga2O3)单晶衬底基片及外延基片。

2022年8月12日,美国商务部工业和安全局(BIS)在《联邦公报》中披露了一项新增的出口限制临时最终规则,涉及先进半导体、涡轮发动机等领域。该禁令对具有GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)结构的集成电路所必需的EDA/ECAD软件、以金刚石和氧化镓为代表的超宽禁带半导体材料、包括压力增益燃烧(PGC)在内的四项技术实施了新的出口管制。


使用/应用

很好的电源开关设备应用前景。

特点/优势

是一种直接宽带隙半导体材料,具有极大的击穿电场,易于获得大尺寸晶体。

  • 结构

    单斜

    晶格常数

    a=12.23Å, b=3.04Å, c=5.80Å, ß=103.7°

    晶向

    <100> +/-1°, <010> +/-1° 

    莫氏硬度

    9 (mohs)

    密度

    5.88 (g/cm3)

    熔点

    1725℃

    尺寸

     3-220mm, 按需求订制。

    厚度

    按需求订制

    生长方法

    Czochralski, HEM

    导电类型

    半绝缘, xx-掺杂

    抛光

    外延抛光, RMS<0.5nm, 或

    光学级抛光

    平行度

    15 arcsec

    位错密度

    20/10 scratch/dig

    包装100级洁净袋,单盒装,氮气保护下包装。



  • 按需求订制。