中科瑞晶(杭州)科技有限公司

GaSb

GaSb单晶由于其晶格常数与各种三元和四元、III-V化合物固溶体的晶格常数相匹配,可以用作基底材料,其带隙在0.8~4.3um宽的光谱范围内。GaSb晶格的有限迁移率大于GaAs晶格,在微波器件制造中具有潜在的应用前景。生长方法包括LEC、VGF和VBG。

中科瑞晶根据客户需求,提供不同规格的锑化镓(GaSb)衬底材料。

使用/应用

用作衬底材料。
微波器件的制造。

特点/优势

晶格常数与各种三元和四元III-V化合物的晶格常数匹配,带隙在0.8~4.3um宽光谱范围内。
GaSb晶格的有限迁移率大于GaAs晶格。

  • 单晶

    掺杂

    导电类型

    载流子浓度

    cm-3

    迁移率(cm2/V.s)

    位错密度(cm-2)

    标准基片

    GaSb

    本征

    P

    (1-2)´1017

    600-700

    £1´104

    Φ2″×0.5mm

    Φ3″×0.5mm

    GaSb

    Zn

    P

    (5-100) ´1017

    200-500

    £1´104

     

    Φ2″×0.5mm

    Φ3″×0.5mm

    GaSb

    Te

    N

    (1-20)´1017

    2000-3500

    £1´104

    Φ2″×0.5mm

    Φ3″×0.5mm

    尺寸(mm)

    Dia50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底

    表面粗糙度

    Surface roughness(Ra):<=5A
    可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告

    抛光

    单面或双面

    包装

    100级洁净袋,1000级超净室


  • 尺寸

    50.8x0.5mm,10×10×0.5mm、10×5×0.5mm


    方向和尺寸可定制。