Ge

锗具有良好的半导体特性。高纯度锗掺杂三价元素(如铟、镓、硼)以获得P型锗半导体,五价元素(如锑、砷和磷)掺杂以获得N型锗半导体。它们具有高电子迁移率和高空穴迁移率。

高质量的锗衬底可用于聚光光伏(CPV)、外层空间太阳能电池板和高亮度发光二极管(LED)应用。

中科瑞晶提供不同规格锗(Ge)光学窗口晶体。

使用/应用

高质量的锗衬底可用于聚光光伏(CPV)、外层空间太阳能电池板和高亮度发光二极管(LED)应用。

特点/优势

锗掺杂三价元素得到P型锗半导体,掺杂五价元素得到N型锗半导体。它们具有高电子迁移率和高空穴迁移率。

  • 晶体结构

    立方

    晶格常数

    a=5.65754Å   

    密度

    5.323(g/cm3

    硬度

    4mohs

    熔点

    937.4℃

    生长方法

    提拉法

    掺杂物质

    不掺杂

    Sb

    InGa

    类型

    /

    N

    P

    电阻率Ωcm

    >35

    0.05

    0.05-0.1

    EPD

    <4×103/cm2

    <4×103/cm2

    <4×103/cm2

    晶向

    <111><100><110>±0.5º

    尺寸(mm)

    25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm

    可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底

    表面粗糙度

    Surface roughness(Ra):<=5A
    可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告

    抛光

    单面或双面

    包装

    100级洁净袋,1000级超净室


  • 尺寸

    10x3mm,10x5mm,10x10mm,15x15mm,20x15mm,20x20mm,

    Ø50.8 mm, Ø76.2mm, Ø100 mm


    厚度

    0.5mm,1.0mm