Ge

锗具有良好的半导体特性。高纯度锗掺杂三价元素(如铟、镓、硼)以获得P型锗半导体,五价元素(如锑、砷和磷)掺杂以获得N型锗半导体。它们具有高电子迁移率和高空穴迁移率。

高质量的锗衬底可用于聚光光伏(CPV)、外层空间太阳能电池板和高亮度发光二极管(LED)应用。

中科瑞晶提供不同规格锗(Ge)晶体。

使用/应用

高质量的锗衬底可用于聚光光伏(CPV)、外层空间太阳能电池板和高亮度发光二极管(LED)应用。

特点/优势

锗具有良好的半导体特性。高纯度锗掺杂三价元素(如铟、镓、硼)以获得P型锗半导体,五价元素(如锑、砷和磷)掺杂以获得N型锗半导体。它们具有高电子迁移率和高空穴迁移率。

  • 生长方法

    提拉法

    晶体结构

    立方

    晶格常数

    a=5.65754 Å       

    密 度

    5.323g/cm3

    熔点

    937.4

    掺杂物质

    不掺杂

    掺Sb

    掺Ga

    类型

    /

    N

    P

    电阻率

    >35Ωcm

    0.01~35 Ωcm

    0.05~35 Ωcm

    EPD

    4×103∕cm2

    4×103∕cm2

    4×103∕cm2

    尺寸

    10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,


    Dia50.8 mm ,dia76.2mm, Dia100 mm

    厚度

    0.5mm,1.0mm

    抛光

    单面或双面

    晶向

    <100><110><111>±0.5º

    晶面定向精度:

    ±0.5°

    边缘定向精度:

    2°(特殊要求可达1°以内)

    斜切晶片

    可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角1°-45°)的晶片

    Ra

    ≤5Å(5µm×5µm)

    包装

    100级洁净袋,1000级超净室


  • 尺寸

    5x5mm,10x10mm,20x20mm,30x30mm , Ø50.8 mm

    厚度

    0.5mm,1.0mm